突破 Si 的瓶颈，SiC/GaN 具备性能上的优势。Si 作为集成电路最基础的材料，构筑了整个信息产业的最底层支撑。人类对 Si 性能的探索已经非常成熟，然而一些固有的缺点却无法逾越，如光学性能、高压高频性能等。与此同时所谓第三代半导体（宽禁带半导体）以其恰好弥补 Si 的不足而逐步受到半导体行业青睐，成为继 Si 之后最有前景的半导体材料。

去年IEDM（国际电子器件会议）期间的一个周日的夜晚，TechInsights举办了一场招待会，Arabinda Das和Jeongdong Choe在会上做了演讲，吸引了一屋子的与会者。Arabinda首先发表了题为“苹果iPhone的十年历程与半导体技术创新”的演讲，随后Jeongdong讨论了“存储器工艺、设计与架构的今天和明天”。